RJK0855DPB-00#J5

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.72

10+

$2.454

100+

$1.972

500+

$1.534

1000+

$1.271

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

RJK0855DPB-00#J5
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

RJK0855DPB-00#J5.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

LFPAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

60W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

SC-100, SOT-669
Другие названия

RJK0855DPB-00#J5CT
RJK0855DPB00J5
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2550pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

35nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

80V
Подробное описание

N-Channel 80V 30A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount LFPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

30A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с RJK0855DPB-00#J5.

RJK1002DPN-E0#T2

Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO220

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

RJK0855DPB-00#J5

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык