STB11N52K3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STB11N52K3
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STB11N52K3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

510 mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

125W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-11839-2
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1400pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

51nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

525V
Подробное описание

N-Channel 525V 10A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STB11N52K3.

STB10100TR

Описание: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK

Производители: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STB11N52K3

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык