STB11NM60FDT4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$3.161

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STB11NM60FDT4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STB11NM60FDT4.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

160W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-3511-2
Рабочая Температура

-
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

900pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

40nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 11A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

11A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STB11NM60FDT4.

STB11NK40ZT4

Описание: MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STB11NM60FDT4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык