STGB10NB37LZT4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.37

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB10NB37LZT4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB10NB37LZT4.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

440V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A
режим для испытаний

328V, 10A, 1 kOhm, 5V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

1.3µs/8µs
Переключение энергии

2.4mJ (on), 5mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

125W
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-4106-2
Рабочая Температура

-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

28nC
Подробное описание

IGBT 440V 20A 125W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

40A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

20A
Номер базового номера

STG*10NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGB10NB37LZT4.

STGAP2SCM

Описание: DGTL ISO

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB10NB37LZT4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык