STGB12NB60KDT4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.051

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB12NB60KDT4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 30A 125W D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB12NB60KDT4.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.8V @ 15V, 12A
режим для испытаний

480V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

25ns/96ns
Переключение энергии

258µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

80ns
Мощность - Макс

125W
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-4350-2
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

54nC
Подробное описание

IGBT 600V 30A 125W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

60A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

30A
Номер базового номера

STG*12NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGB12NB60KDT4.

STGB18N40LZT4

Описание: IGBT 420V 30A 150W D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB12NB60KDT4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык