STGB20NB37LZT4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$5.36

10+

$4.813

100+

$3.944

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB20NB37LZT4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB20NB37LZT4.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

425V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 4.5V, 20A
режим для испытаний

250V, 20A, 1 kOhm, 4.5V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

2.3µs/2µs
Переключение энергии

11.8mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

200W
упаковка

Original-Reel®
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-6567-6
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

51nC
Подробное описание

IGBT 425V 40A 200W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

80A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

40A
Номер базового номера

STG*20NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGB20NB37LZT4.

STGB30H60DLFB

Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB20NB37LZT4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык