STGB20V60DF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGB20V60DF
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGB20V60DF.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.2V @ 15V, 20A
режим для испытаний

400V, 20A, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

38ns/149ns
Переключение энергии

200µJ (on), 130µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

40ns
Мощность - Макс

167W
упаковка

Original-Reel®
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-15118-6
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

116nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Surface Mount D2PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

80A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

40A

Ниже приведены продукты, связанные с STGB20V60DF.

STGB30H60DFB

Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGB20V60DF

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык