STGD18N40LZ-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.66

10+

$1.487

100+

$1.159

500+

$0.958

1000+

$0.756

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGD18N40LZ-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 420V 25A 125W IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGD18N40LZ-1.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

420V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A
режим для испытаний

300V, 10A, 5V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

650ns/13.5µs
Переключение энергии

-
Поставщик Упаковка устройства

I-PAK
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

125W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Другие названия

497-15121-5
STGD18N40LZ-1-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Logic
Тип IGBT

-
Заряд затвора

29nC
Подробное описание

IGBT 420V 25A 125W Through Hole I-PAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

40A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

25A
Номер базового номера

STG*18N

Ниже приведены продукты, связанные с STGD18N40LZ-1.

STGD19N40LZ

Описание: IGBT 20V 40A DPAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGD18N40LZ-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык