STGD3NB60SDT4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.68

10+

$1.50

100+

$1.169

500+

$0.966

1000+

$0.762

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGD3NB60SDT4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 6A 48W DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGD3NB60SDT4.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.5V @ 15V, 3A
режим для испытаний

480V, 3A, 1 kOhm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

125µs/-
Переключение энергии

1.15mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

DPAK
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

1.7µs
Мощность - Макс

48W
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

497-4109-1
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

18nC
Подробное описание

IGBT 600V 6A 48W Surface Mount DPAK
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

25A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

6A
Номер базового номера

STG*3NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGD3NB60SDT4.

STGD6NC60HDT4

Описание: IGBT 600V 15A 56W DPAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGD3NB60SDT4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык