STGF10NB60SD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.67

50+

$1.418

100+

$1.208

500+

$0.992

1000+

$0.822

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGF10NB60SD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 23A 25W TO220FP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGF10NB60SD.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.75V @ 15V, 10A
режим для испытаний

480V, 10A, 1 kOhm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

700ns/1.2µs
Переключение энергии

600µJ (on), 5mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220FP
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

37ns
Мощность - Макс

25W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3 Full Pack
Другие названия

497-16201-5
STGF10NB60SD-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

33nC
Подробное описание

IGBT 600V 23A 25W Through Hole TO-220FP
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

80A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

23A
Номер базового номера

STG*10NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGF10NB60SD.

STGF19NC60HD

Описание: IGBT 600V 16A 32W TO220FP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGF10NB60SD

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык