STGE200NB60S

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$27.96

10+

$25.787

100+

$22.02

500+

$19.992

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGE200NB60S
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGE200NB60S.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.6V @ 15V, 100A
Поставщик Упаковка устройства

ISOTOP
Серии

PowerMESH™
Мощность - Макс

600W
Упаковка /

ISOTOP
Другие названия

497-6731-5
STGE200NB60S-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора

No
Тип установки

Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Cies) @ Vce

1.56nF @ 25V
вход

Standard
Тип IGBT

-
Подробное описание

IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

500µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

200A
конфигурация

Single

Ниже приведены продукты, связанные с STGE200NB60S.

STGE200N60K

Описание: IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGE200NB60S

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык