STGF6M65DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

2000+

$0.59

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGF6M65DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGF6M65DF2.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 6A
режим для испытаний

400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

15ns/90ns
Переключение энергии

36µJ (on), 200µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220FP
Серии

M
Обратное время восстановления (ТИР)

140ns
Мощность - Макс

24.2W
Упаковка /

TO-220-3 Full Pack
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

21.2nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 12A 24.2W Through Hole TO-220FP
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

24A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

12A

Ниже приведены продукты, связанные с STGF6M65DF2.

STGF30NC60S

Описание: IGBT 600V 22A 40W TO220FP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGF6M65DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык