STGFW20H65FB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$3.98

30+

$3.378

120+

$2.928

510+

$2.492

1020+

$2.102

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGFW20H65FB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 650V 40A 52W TO3PF
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGFW20H65FB.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 20A
режим для испытаний

400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

30ns/139ns
Переключение энергии

77µJ (on), 170µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3PF
Серии

-
Мощность - Макс

52W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3PFM, SC-93-3
Другие названия

497-15122-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

120nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 40A 52W Through Hole TO-3PF
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

80A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

40A

Ниже приведены продукты, связанные с STGFW20H65FB.

STGF5H60DF

Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGFW20H65FB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык