STGP4M65DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.23

50+

$1.044

100+

$0.857

500+

$0.708

1000+

$0.559

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGP4M65DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

1.STGP4M65DF2.pdf
2.STGP4M65DF2.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 4A
режим для испытаний

400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

12ns/86ns
Переключение энергии

40µJ (on), 136µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220AB
Серии

M
Обратное время восстановления (ТИР)

133ns
Мощность - Макс

68W
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-17548
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

Not Applicable
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

15.2nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Through Hole TO-220AB
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

16A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

8A

Ниже приведены продукты, связанные с STGP4M65DF2.

STGP6NC60H

Описание: IGBT 600V 15A 56W TO220

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGP4M65DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык