STGP5H60DF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.29

50+

$1.03

100+

$0.902

500+

$0.699

1000+

$0.552

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGP5H60DF
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGP5H60DF.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.95V @ 15V, 5A
режим для испытаний

400V, 5A, 47 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

30ns/140ns
Переключение энергии

56µJ (on), 78.5µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

134.5ns
Мощность - Макс

88W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-16484-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

43nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 600V 10A 88W Through Hole TO-220
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

20A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

10A

Ниже приведены продукты, связанные с STGP5H60DF.

STGP6M65DF2

Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGP5H60DF

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык