STGW15M120DF3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

600+

$5.013

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW15M120DF3
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 1200V 30A 259W
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW15M120DF3.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.3V @ 15V, 15A
режим для испытаний

600V, 15A, 22 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

26ns/122ns
Переключение энергии

550µJ (on), 850µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

270ns
Мощность - Макс

259W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-15057-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

226nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

60A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

30A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW15M120DF3.

STGP8NC60K

Описание: IGBT 600V 15A 65W TO220

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW15M120DF3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык