STGP8NC60KD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.21

50+

$1.029

100+

$0.845

500+

$0.698

1000+

$0.551

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGP8NC60KD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 15A 65W TO220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGP8NC60KD.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.75V @ 15V, 3A
режим для испытаний

390V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

17ns/72ns
Переключение энергии

55µJ (on), 85µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220AB
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

23.5ns
Мощность - Макс

65W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-7481-5
STGP8NC60KD-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

19nC
Подробное описание

IGBT 600V 15A 65W Through Hole TO-220AB
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

30A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

15A
Номер базового номера

STG*8NC

Ниже приведены продукты, связанные с STGP8NC60KD.

STGW19NC60W

Описание: IGBT 600V 42A 140W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGP8NC60KD

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык