STGW75M65DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$5.79

10+

$5.198

100+

$4.259

600+

$3.625

1200+

$3.058

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW75M65DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW75M65DF2.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 75A
режим для испытаний

400V, 75A, 3.3 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

47ns/125ns
Переключение энергии

690µJ (on), 2.54mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247
Серии

M
Обратное время восстановления (ТИР)

165ns
Мощность - Макс

468W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-16974
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

225nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 468W Through Hole TO-247
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

225A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

120A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW75M65DF2.

STGW60H65DRF

Описание: IGBT 650V 120A 420W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW75M65DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык