STGW8M120DF3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.03

30+

$3.234

120+

$2.947

510+

$2.386

1020+

$2.013

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW8M120DF3
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

1.STGW8M120DF3.pdf
2.STGW8M120DF3.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.3V @ 15V, 8A
режим для испытаний

600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

20ns/126ns
Переключение энергии

390µJ (on), 370µJ (Off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

M
Обратное время восстановления (ТИР)

103ns
Мощность - Макс

167W
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-17619
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

Not Applicable
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

32nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

32A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

16A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW8M120DF3.

STGWA25S120DF3

Описание: IGBT 1200V 25A TO247-3L

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW8M120DF3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык