STGWA40H120DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

600+

$6.83

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWA40H120DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWA40H120DF2.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.6V @ 15V, 40A
режим для испытаний

600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

18ns/152ns
Переключение энергии

1mJ (on), 1.32mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

488ns
Мощность - Макс

468W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-16005-5
STGWA40H120DF2-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

158nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

160A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

80A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWA40H120DF2.

STGWA40H120F2

Описание: IGBT BIPO 1200V 40A TO247-3

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWA40H120DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык