2095402

STGWA50M65DF2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.12

10+

$3.699

100+

$3.03

600+

$2.58

1200+

$2.176

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWA50M65DF2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWA50M65DF2.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 50A
режим для испытаний

400V, 50A, 6.8 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

42ns/130ns
Переключение энергии

880µJ (on), 1.57mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247 Long Leads
Серии

M
Обратное время восстановления (ТИР)

162ns
Мощность - Макс

375W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-16973
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

150nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247 Long Leads
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

150A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

80A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWA50M65DF2.

STGWA45HF60WDI

Описание: IGBT 600V 80A 310W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWA50M65DF2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык