STGWA80H65DFB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$7.50

10+

$6.773

100+

$5.607

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGWA80H65DFB
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGWA80H65DFB.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 80A
режим для испытаний

400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

84ns/280ns
Переключение энергии

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247 Long Leads
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

85ns
Мощность - Макс

469W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-16007-5
STGWA80H65DFB-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

414nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

240A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

120A

Ниже приведены продукты, связанные с STGWA80H65DFB.

STGWT20HP65FB

Описание: IGBT

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGWA80H65DFB

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык