STH315N10F7-6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$6.83

10+

$6.094

100+

$4.997

500+

$4.047

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STH315N10F7-6
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STH315N10F7-6.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

H2PAK-6
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

315W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Другие названия

497-14719-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

12800pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

180nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

180A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STH315N10F7-6.

STH290N4F6-2

Описание: MOSFET N-CH 60V H2PAK-2

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STH315N10F7-6

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык