STH320N4F6-2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$5.97

10+

$5.33

100+

$4.371

500+

$3.539

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STH320N4F6-2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STH320N4F6-2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

H²PAK
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 80A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

300W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Другие названия

497-13875-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

13800pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

240nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

40V
Подробное описание

N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

200A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STH320N4F6-2.

STH52N10LF3-2AG

Описание: MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STH320N4F6-2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык