STI11NM60ND

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$2.013

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STI11NM60ND
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STI11NM60ND.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

90W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

850pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

30nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STI11NM60ND.

STI100N10F7

Описание: MOSFET

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STI11NM60ND

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык