STI11NM80

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$4.44

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STI11NM80
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STI11NM80.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK (TO-262)
Серии

MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

150W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

497-13106-5
Рабочая Температура

-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1630pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

43.6nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

800V
Подробное описание

N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

11A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STI11NM80.

STI1215B

Описание: SQUARE THREADED INSERT:NYL BLACK

Производители: Essentra Components

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STI11NM80

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык