STL11N3LLH6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STL11N3LLH6
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STL11N3LLH6.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2W (Ta), 50W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

8-PowerVDFN
Другие названия

497-11099-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1690pF @ 24V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 11A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

11A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STL11N3LLH6.

STL110NS3LLH7

Описание: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STL11N3LLH6

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык