2519774

STL11N60M2-EP

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$1.059

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STL11N60M2-EP
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V PWRFLAT 5X6
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

-
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (5x6) HV
Серии

MDmesh™ M2-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Рассеиваемая мощность (макс)

-
Упаковка /

8-PowerVDFN
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

-
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

-

Ниже приведены продукты, связанные с STL11N60M2-EP.

STL10HN65M2

Описание: POWER MOSFET

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STL11N60M2-EP

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык