STL33N60DM2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$6.82

10+

$6.085

100+

$4.99

500+

$4.041

1000+

$3.408

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STL33N60DM2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

1.STL33N60DM2.pdf
2.STL33N60DM2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (8x8) HV
Серии

MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 10.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

150W (Tc)
упаковка

Original-Reel®
Упаковка /

8-PowerVDFN
Другие названия

497-16941-6
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1870pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

43nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 21A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

21A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STL33N60DM2.

STL285N4F7AG

Описание: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STL33N60DM2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык