STL3N10F7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.12

10+

$1.914

100+

$1.538

500+

$1.196

1000+

$0.991

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STL3N10F7
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STL3N10F7.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (2x2)
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.4W (Tc)
упаковка

Original-Reel®
Упаковка /

6-PowerWDFN
Другие названия

497-14993-6
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

408pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

7.8nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

N-Channel 100V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STL3N10F7.

STL42N65M5

Описание: MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STL3N10F7

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык