STL3NM60N

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.994

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STL3NM60N
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STL3NM60N.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Серии

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2W (Ta), 22W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-PowerVDFN
Другие названия

497-13351-2
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

188pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

9.5nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

650mA (Ta), 2.2A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STL3NM60N.

STL40N10F7

Описание: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STL3NM60N

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык