4419640

STTH1210G-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH1210G-TR
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH1210G-TR.pdf
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)

Standard
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

12A
Напряжение - Разбивка

D2PAK
Серии

-
Статус RoHS

Digi-Reel®
Обратное время восстановления (ТИР)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Сопротивление @ Если, F

-
поляризация

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-6093-6
Рабочая температура - Соединение

90ns
Тип установки

Surface Mount
Уровень влажности (MSL)

1 (Unlimited)
Номер детали производителя

STTH1210G-TR
Расширенное описание

Diode Standard 1000V (1kV) 12A Surface Mount D2PAK
Диод Конфигурация

10µA @ 1000V
Описание

DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
Ток - Обратный утечки @ Vr

2V @ 12A
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)

1000V (1kV)
Емкостной @ В.Р., F

175°C (Max)

Ниже приведены продукты, связанные с STTH1210G-TR.

STTH1210G

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH1210G-TR

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык