STTH1212G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STTH1212G
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STTH1212G.pdf
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)

Standard
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

12A
Напряжение - Разбивка

D2PAK
Серии

-
Статус RoHS

Tube
Обратное время восстановления (ТИР)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Сопротивление @ Если, F

-
поляризация

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая температура - Соединение

100ns
Тип установки

Surface Mount
Уровень влажности (MSL)

3 (168 Hours)
Номер детали производителя

STTH1212G
Расширенное описание

Diode Standard 1200V (1.2kV) 12A Surface Mount D2PAK
Диод Конфигурация

10µA @ 1200V
Описание

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A D2PAK
Ток - Обратный утечки @ Vr

2.2V @ 12A
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)

1200V (1.2kV)
Емкостной @ В.Р., F

175°C (Max)

Ниже приведены продукты, связанные с STTH1212G.

STTH12R06D

Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STTH1212G

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык