Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > HN1B04FE-GR,LF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2933834HN1B04FE-GR,LF Image.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.33
10+
$0.297
25+
$0.214
100+
$0.167
250+
$0.105
500+
$0.089
1000+
$0.061
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    HN1B04FE-GR,LF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Тип транзистор
    NPN, PNP
  • Поставщик Упаковка устройства
    ES6
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    100mW
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    SOT-563, SOT-666
  • Другие названия
    HN1B04FE-GR(5LFTDKR
    HN1B04FE-GR(5LFTDKR-ND
    HN1B04FE-GRLF(TDKR
    HN1B04FE-GRLF(TDKR-ND
    HN1B04FE-GRLFDKR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    80MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    150mA
HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Описание: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1A01FE-Y,LF

HN1A01FE-Y,LF

Описание: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1A01FU-Y,LF

HN1A01FU-Y,LF

Описание: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE-GR,LF

Описание: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF

Описание: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Описание: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти