Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > HN1C01FYTE85LF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3333734HN1C01FYTE85LF Image.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    HN1C01FYTE85LF
  • Изготовитель / Производитель
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    HN1C01FYTE85LF.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Тип транзистор
    2 NPN (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SM6
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    SC-74, SOT-457
  • Другие названия
    HN1C01FYTE85LFDKR
  • Рабочая Температура
    125°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    80MHz
  • Подробное описание
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    150mA

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с HN1C01FYTE85LF.
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Описание: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Описание: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Описание: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.