Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > RN1113MFV,L3F
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5135611

RN1113MFV,L3F

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
8000+
$0.029
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1113MFV,L3F
  • Изготовитель / Производитель
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    RN1113MFV,L3F.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    VESM
  • Серии
    -
  • Резистор - основание (R1)
    47 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • Упаковка /
    SOT-723
  • Другие названия
    RN1113MFVL3F
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RN1113MFV,L3F.
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Описание: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

Описание: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1111CT(TPL3)

RN1111CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.