Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > RN1910,LF(CT
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
532405RN1910,LF(CT Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910,LF(CT

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.30
10+
$0.27
25+
$0.195
100+
$0.151
250+
$0.095
500+
$0.081
1000+
$0.055
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN1910,LF(CT
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    US6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    -
  • Резистор - основание (R1)
    4.7 kOhms
  • Мощность - Макс
    100mW
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Другие названия
    RN1910(T5LFT)DKR
    RN1910(T5LFT)DKR-ND
    RN1910LF(CTDKR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1907,LF

RN1907,LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти