Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > RN2911,LF
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
435428RN2911,LF Image.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.051
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN2911,LF
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    US6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    -
  • Резистор - основание (R1)
    10 kOhms
  • Мощность - Макс
    200mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Другие названия
    RN2911,LF(CB
    RN2911,LF(CT
    RN2911LF(CTTR
    RN2911LF(CTTR-ND
    RN2911LFTR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    200MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    100nA (ICBO)
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2963FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2906FE(TE85L,F)

RN2906FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2964(TE85L,F)

RN2964(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2907FE,LF(CB

RN2907FE,LF(CB

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2961FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2962FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти