|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 200V 120A TO-247 |
9.029 |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
11.808 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8 |
0.593 |
|
Быть в наличии |
|
NXP Semiconductors / Freescale
|
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
|
0.135 |
|
Быть в наличии |
|
NXP Semiconductors / Freescale
|
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP |
- |
|
Быть в наличии |
|
LAPIS Semiconductor
|
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
0.239 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET P-CH 40V 120A TO263 |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC |
- |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268 |
4.595 |
|
Быть в наличии |
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC |
0.667 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8 |
0.676 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
21.272 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.057 |
|
Быть в наличии |
|
Nexperia
|
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB |
0.51 |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264 |
- |
|
Быть в наличии |
|
GeneSiC Semiconductor
|
TRANS SJT 1200V 160A SOT227 |
193.261 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB |
- |
|
Быть в наличии |
|
LAPIS Semiconductor
|
NCH 250V 8A POWER MOSFET |
0.94 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL |
0.213 |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 |
10.609 |
|
Быть в наличии |
|
Nexperia
|
MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8 |
0.559 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
|
0.662 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP |
1.274 |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 |
0.335 |
|
Быть в наличии |
|
Microsemi
|
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
- |
|
Быть в наличии |
|
LAPIS Semiconductor
|
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC |
- |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3 |
- |
|
Быть в наличии |
|
TSC (Taiwan Semiconductor)
|
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252 |
- |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
|
0.336 |
|
Быть в наличии |
|
International Rectifier (Infineon Technologies)
|
|
1.352 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
0.455 |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
|
0.169 |
|
Быть в наличии |
|
Diodes Incorporated
|
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6 |
- |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
1.503 |
|
Быть в наличии |
|
NXP Semiconductors / Freescale
|
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV |
- |
|
Быть в наличии |
|
IXYS Corporation
|
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 250V 16A TO-220 |
0.748 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
|
0.451 |
|
Быть в наличии |
|
STMicroelectronics
|
|
3.248 |
|
Быть в наличии |
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
|
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK |
- |
|
Быть в наличии |
|
Microsemi
|
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 |
201.419 |
|
Быть в наличии |
|
Electro-Films (EFI) / Vishay
|
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC |
- |
|
Быть в наличии |