Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > DTC124EKAT246
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1414096DTC124EKAT246 Image.LAPIS Semiconductor

DTC124EKAT246

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10000+
$0.034
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DTC124EKAT246
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Тип транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMT3
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    22 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    22 kOhms
  • Мощность - Макс
    200mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    30mA
  • Номер базового номера
    DTC124
DTC124EMT2L

DTC124EMT2L

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EKAT146

DTC124EKAT146

Описание:

Производители: ROHM
Быть в наличии
DTC124EEBTL

DTC124EEBTL

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124GKAT146

DTC124GKAT146

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EETL

DTC124EETL

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EUBHZGTL

DTC124EUBHZGTL

Описание: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EET1G

DTC124EET1G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EE-TP

DTC124EE-TP

Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
DTC123YUAT106

DTC123YUAT106

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EM3T5G

DTC124EM3T5G

Описание: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
DTC124ECAHZGT116

DTC124ECAHZGT116

Описание: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124ECA-TP

DTC124ECA-TP

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
DTC124EKA-TP

DTC124EKA-TP

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
DTC124EU3T106

DTC124EU3T106

Описание: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124GUAT106

DTC124GUAT106

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EUA-TP

DTC124EUA-TP

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
DTC124EUAT106

DTC124EUAT106

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124ESATP

DTC124ESATP

Описание: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124ECAT116

DTC124ECAT116

Описание: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
DTC124EUBTL

DTC124EUBTL

Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти