Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > QH8KA4TCR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3500657QH8KA4TCR Image.LAPIS Semiconductor

QH8KA4TCR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.11
10+
$0.98
100+
$0.775
500+
$0.601
1000+
$0.474
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    QH8KA4TCR
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.QH8KA4TCR.pdf
    2.QH8KA4TCR.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Поставщик Упаковка устройства
    TSMT8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Мощность - Макс
    1.5W
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SMD, Flat Lead
  • Другие названия
    QH8KA4TCRCT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1400pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    -
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 1.5W Surface Mount TSMT8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    9A

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с QH8KA4TCR.
SSM6L13TU(T5L,F,T)

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Описание: MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
SLA5065 LF830

SLA5065 LF830

Описание: MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP

Производители: Sanken Electric Co., Ltd.
Быть в наличии
RFQ
QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
QH8MA4TCR

QH8MA4TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
SH8M24TB1

SH8M24TB1

Описание: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
QH8MA2TCR

QH8MA2TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
APTM50AM38SCTG

APTM50AM38SCTG

Описание: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
QH8JA1TCR

QH8JA1TCR

Описание: 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FDMB3800N

FDMB3800N

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
QH8KA1TCR

QH8KA1TCR

Описание: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
FQS4900TF

FQS4900TF

Описание: MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
EM6K31T2R

EM6K31T2R

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
APTMC120TAM34CT3AG

APTMC120TAM34CT3AG

Описание: POWER MODULE - SIC MOSFET

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
CMLDM7003T TR

CMLDM7003T TR

Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

Производители: Central Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
APTC60HM70T1G

APTC60HM70T1G

Описание: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
QH8KA2TCR

QH8KA2TCR

Описание: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.