Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > UMG8NTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
932980UMG8NTR Image.LAPIS Semiconductor

UMG8NTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10+
$0.05
100+
$0.039
300+
$0.034
3000+
$0.03
6000+
$0.027
9000+
$0.025
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    UMG8NTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистор
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    UMT5
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    4.7 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    *MG8
DDC114YH-7

DDC114YH-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
UMG9NTR

UMG9NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG4N-7

UMG4N-7

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
UMG11NTR

UMG11NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
IMH5AT108

IMH5AT108

Описание: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG5NTR

UMG5NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMD5NTR

UMD5NTR

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG7NTR

UMG7NTR

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG2NTR

UMG2NTR

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
NSBC143TPDXV6T5G

NSBC143TPDXV6T5G

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
MUN5234DW1T1

MUN5234DW1T1

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
UMD2NTR

UMD2NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG1NTR

UMG1NTR

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG3NTR

UMG3NTR

Описание:

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
UMG4NTR

UMG4NTR

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SMUN5335DW1T1G

SMUN5335DW1T1G

Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
PUMD16/ZLX

PUMD16/ZLX

Описание: TRANS RET SC-88

Производители: Nexperia
Быть в наличии
UMG6NTR

UMG6NTR

Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
PQMH11Z

PQMH11Z

Описание: TRANS NPN/NPN RET 6DFN

Производители: Nexperia
Быть в наличии
EMF5XV6T5G

EMF5XV6T5G

Описание: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти