Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > APT100GT60B2RG
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6988176APT100GT60B2RG Image.Microsemi

APT100GT60B2RG

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    APT100GT60B2RG
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IGBT 600V 148A 500W SOT247
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    600V
  • Vce (на) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • режим для испытаний
    400V, 100A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (вкл / выкл) при 25 ° C
    40ns/320ns
  • Переключение энергии
    3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
  • Серии
    Thunderbolt IGBT®
  • Мощность - Макс
    500W
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-247-3 Variant
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип ввода
    Standard
  • Тип IGBT
    NPT
  • Заряд затвора
    460nC
  • Подробное описание
    IGBT NPT 600V 148A 500W Through Hole
  • Ток - Коллектор Импульсные (ICM)
    300A
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    148A
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Описание: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100S20BG

APT100S20BG

Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Описание: IGBT 600V 183A 780W TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Описание: POWER MODULE - IGBT

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Описание: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Описание: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Описание: IGBT 600V 229A 625W TO264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Описание: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Описание: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Описание: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GN120J

APT100GN120J

Описание: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Описание: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Описание: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100M50J

APT100M50J

Описание: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Описание: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Описание: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Описание: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Описание: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
APT102GA60L

APT102GA60L

Описание: IGBT 600V 183A 780W TO264

Производители: Microsemi
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти