HAT2170H-EL-E

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

HAT2170H-EL-E
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

HAT2170H-EL-E.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

LFPAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

30W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

SC-100, SOT-669
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4650pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

62nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

40V
Подробное описание

N-Channel 40V 45A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

45A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с HAT2170H-EL-E.

HAT2192WP-EL-E

Описание: MOSFET N-CH 250V 10A WPAK

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

HAT2170H-EL-E

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык