HAT2197R-EL-E

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

HAT2197R-EL-E
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

HAT2197R-EL-E.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-SOP
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.5W (Ta)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2650pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

16A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с HAT2197R-EL-E.

HAT2174H-EL-E

Описание: MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

HAT2197R-EL-E

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык