NP100N04PUK-E1-AY

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NP100N04PUK-E1-AY
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NP100N04PUK-E1-AY.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-263
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.8W (Ta), 176W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

7050pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

120nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

40V
Подробное описание

N-Channel 40V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

100A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с NP100N04PUK-E1-AY.

NP1100SCT3G

Описание: THYRISTOR 90V 100A SMB

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NP100N04PUK-E1-AY

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык