NP109N055PUJ-E1B-AY

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NP109N055PUJ-E1B-AY
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-263
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 55A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.8W (Ta), 220W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

10350pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

180nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

110A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с NP109N055PUJ-E1B-AY.

NP1011510000G

Описание: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

Производители: Anytek (Amphenol Anytek)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NP109N055PUJ-E1B-AY

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык