NP35N04YUG-E1-AY

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NP35N04YUG-E1-AY
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NP35N04YUG-E1-AY.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-HSON
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 17.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1W (Ta), 77W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Другие названия

NP35N04YUG-E1-AY-ND
NP35N04YUG-E1-AYTR
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2850pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

54nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

40V
Подробное описание

N-Channel 40V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

35A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с NP35N04YUG-E1-AY.

NP36P06KDG-E1-AY

Описание: MOSFET P-CH 60V 36A TO-263

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NP35N04YUG-E1-AY

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык