RJK6024DPD-00#J2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

RJK6024DPD-00#J2
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

RJK6024DPD-00#J2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

MP-3A
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 Ohm @ 200mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

27.2W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

RJK6024DPD-00#J2-ND
RJK6024DPD-00#J2TR
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

37.5pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

4.3nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 400mA (Ta) 27.2W (Tc) Surface Mount MP-3A
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

400mA (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с RJK6024DPD-00#J2.

RJK6013DPE-00#J3

Описание: MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

RJK6024DPD-00#J2

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык