RJK6035DPP-E0#T2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.58

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

RJK6035DPP-E0#T2
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

RJK6035DPP-E0#T2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220FP
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.37 Ohm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

29.5W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3 Full Pack
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

765pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 6A (Ta) 29.5W (Tc) Through Hole TO-220FP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

6A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с RJK6035DPP-E0#T2.

RJK6026DPE-00#J3

Описание: MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

RJK6035DPP-E0#T2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык